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UV-LIGA的MEMS磁阻传感器芯片的线圈工艺研究(5)

时间:2022-12-03 20:45来源:毕业论文
固态:与磁通门比较,磁阻传感器的成本低,而且可靠性和坚固程度好。 低功耗:电路全面降低,并减少了周边线路。 成本低:可以大量产生。 2。2 ME

固态:与磁通门比较,磁阻传感器的成本低,而且可靠性和坚固程度好。

低功耗:电路全面降低,并减少了周边线路。

成本低:可以大量产生。

2。2 MEMS磁阻传感器的设计

导磁材料如硅钢片或坡莫合金制成铁芯和衔铁,铁芯和衔铁有气隙存在,传感器的运动部分与衔铁相连。如果被测量变化,就导致衔铁发生位移,从而磁路中磁阻产生变化,而且电感线圈的电感量发生变。所以只要能测出这种电感量的变化,就能确定衔铁位移量的大小和方向[11]。 

铁芯和衔铁的磁性材料,如硅钢片、坡莫合金。在铁芯和衔铁之间有气隙,连接到传感器部分与衔铁相连。当测得变化和电枢位移,引起磁阻变化,从而引起电感线圈的电感量的变化。因此,只要他们可以测量电感的变化可以确定电枢位移的方向和大小[12]。文献综述

变磁阻传感器可以用来测量位移和大小,也可以测量被转换为位移的其它参数、拉力、压力、压差、应变、转短、速度和加速度等。如图2-1为变磁阻传感器的示意图。

图2-1 变磁阻式传感器

以下是磁阻传感器设计的工艺顺序,通过CAD展现如图2-2所示:

     

图2-2 磁阻传感器设计图

图2-2是CAD设计的过程,从左到右从上到下依次进行,每个图代表着一个图层的形状,我们在基元上设计出了传感器的构造。下面是通过CAD设计的磁阻传感器的模型,把他们的长宽的数据测量出来。

图2-3 磁阻传感器各尺寸图

表2-1 磁阻传感器相关数据                                                                                                   

编号 1    2     3     4    5    6    7    8 9

长(mm) 16 7。2 6。4 5。6 5。46 4。75 4。75 15。75 8。7

宽(mm) 6 4。3 2.5 4。3 1。55 4。05 0。85 5 3。5

中间细条长(mm) 14。5 5。3 5。3 3。7 3。75 3。05 3。05 14。25 6。8

如图2-3对应编号测量了它们的长宽和中间细条的长,数据记录在表2-1中。这是设计磁阻传感器的粗略数据。通过设计出不同尺寸的传感器可以比较出哪个尺寸的传感器具有较好的性质。当然尺寸越小对我们技术的要求也就越高,我们的目的是设计出稳定性好、性能优越、尺寸体积小的磁阻传感器。 UV-LIGA的MEMS磁阻传感器芯片的线圈工艺研究(5):http://www.youerw.com/cailiao/lunwen_105062.html

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