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紫外纳米压印技术进展综述

时间:2022-10-22 22:30来源:毕业论文
对紫外纳米压印技术的进展做了概述,其中包括紫外纳米压印技术的原理及其工艺,紫外纳米压印技术的优缺点,紫外纳米压印技术的改良及进步和紫外纳米压印技术的用途及面对的问

摘  要:在21世纪的今天,纳米技术对人类的作用之大是性的。纳米技术的出现与进步给人类生活的各个方面都带来了巨大的好处。纳米压印技术本身的优势很多比如操作简便、区分度高、本钱低等,近年来,被全国研究机构高度重视。这篇文章主要对紫外纳米压印技术的进展做了概述,其中包括紫外纳米压印技术的原理及其工艺,紫外纳米压印技术的优缺点,紫外纳米压印技术的改良及进步和紫外纳米压印技术的用途及面对的问题。84768

毕业论文关键词:纳米技术;紫外纳米压印技术;纳米压印

Uv Nano-imprintingTechnology Progress Were Reviewed

Abstract: in the 21st century, the emergence of nanometer technology and development to all aspects of human life brought great convenience。The effect of nanotechnology on human is revolutionary。Nano-imprinting technologies with simple operation, high resolution, low cost, high repeatability, attaches great importance to by research institutions both at home and abroad in recent years。In this paper, the progress of ultraviolet nano-imprinting technology overview, including the principle of ultraviolet nano-imprinting technology and process, the improvement and development of ultraviolet nano-imprinting technology, the industrialization development of ultraviolet nano-imprinting technology and the application of ultraviolet nano-imprinting technology and challenges。

Key Words: Nanotechnology; Uv Nano-imprinting Technologies; Nano-imprinting

1.引论

经济的繁荣速度不断加快以及人类社会的不时前进的推动下,行业技术的推陈出新使得半导体业的发展不停减小特征尺寸。自1947年,世界上首只晶体管诞生于童诗白手中,半导体微电子技术已发展成为现代高科技技术产业的主要支柱[1]。因此而引发的各种微型化技术,自然而然也已成为现代高科技技术产业的中流砥柱。然而,科技的进步造成了生产仪器的成本呈现出不断增长的趋势。纳米压印光刻这种低成本的图案转变技术因为成本的提高成为人们注意的焦点。Stephen Y。Chou教授[2]是最初探究纳米压印光刻技术的,他的实验室是普林斯顿大学的纳米结构实验室,其主要工艺流程为:在高温高压下,将有纳米图形的样版在覆盖有高分子材料的基板上相同比重压印克隆纳米图形,紫外纳米压印的长处是其分辨率仅仅和样版图形的大小相关,然而不受光学光刻的最短曝光波长的限制。现如今纳米压印技术能够完成的图形线宽可以做到了5nm以下[3]。纳米压印技术具有较低成本的原因有两个,其中一个是省略掉了纳米压印的掩模版,另一个则是采用的光学成像的仪器价格较为低廉。因此,纳米压印光刻具有低成本、高产量的优点。纳米压印技术大概可以分成三种:热压印技术(HE-NIL)、紫外纳米压印技术(UV-NIL)以及微接触压印光刻技术(Microcontact-NIL)[4]。值得一提的是紫外纳米压印技术凭借其自身的优势以及不断的发展和改进受到人们的青睐。

2.紫外纳米压印技术的原理及其工艺文献综述

C GWillson教授是最初提到的这项技术 [5],C GWillson教授是德州大学著名的教授他研究的紫外纳米压印技术其主要工艺过程为:

(1)首先制备精度相对较高的掩模板而且一定有一个模版具有纳米图案,在此基础上还需要掩模板相对于紫外光应该是透亮的,通常使用SiO2当作制作掩模版的材料。

(2)其次旋转覆盖一层液态的光刻胶在掩模板上。而且所涂的光刻胶应该是600nm到700nm之间的厚的程度,还有要使用黏度相低对较低的光刻胶并且关光刻胶对紫外光的敏感性相对要强。

(3)然后在比较低的压力下把掩模板压于光刻胶的上面,这样掩模板里的狭小缝隙就会充满了液态光刻胶,再用紫外光照射掩模版而且是从其背面照射,从而光刻胶在紫外光的照射作用下逐渐被固化。论文网 紫外纳米压印技术进展综述:http://www.youerw.com/huaxue/lunwen_100819.html

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