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单晶材料的生长与物性研究

时间:2023-06-01 22:21来源:毕业论文
单晶材料的生长与物性研究。拓扑绝缘体有很多独特的性质,我们本次就是研究它的一些性质,研究它的表形态,和推测这些性质能够被利用于什么方面,我们以单晶Bi2Te3例子进行有关

摘    要作为近些年来最热门的科学前沿,拓扑绝缘体有很多独特的性质,我们本次就是研究它的一些性质,研究它的表形态,和推测这些性质能够被利用于什么方面,我们以单晶Bi2Te3例子进行有关单晶的性质研究。88968

As the most popular scientific frontier in recent years, topological insulator has many unique properties, this is to study some of it`s properties, study it`s surface morphology, and that these properties can be used in what aspects, we studied the properties of single crystal Bi2Te3 for example。

毕业论文关键词:拓扑绝缘体; 单晶特性; bi2te3

Keywords: Topological insulator; 2; Single crystal properties 3;bi2Te3 

目录

第一章 4

1。0引言: 4

1。1拓扑绝缘体的源Q于D优G尔X论V文Y网wwW.yOueRw.com 原文+QQ75201`8766 基本概念: 4

1。2拓扑绝缘体的特性; 4

1。3拓扑绝缘体研究历史: 5

第二章 目前关于Bi2Te3的研究: 5

2。1Bi2Te3的电输运特性: 5

2。2Bi2Te3的超导特性: 5

2。3Bi2Te3的边缘态: 6

2。4Bi2Te3的单晶特性: 6

第三章实验和方法: 6

3。1实验装置: 6

3。2实验原理: 6

3。3样品的制备: 6

3。4样品的测量 7

第四章 实验结果与讨论 8

4。1XRD测试结果: 8

4。2电子显微镜测试结果 13

第五章 结论与猜测: 15

参考文献 15

致谢 16

第一章

1。0引言:From优T尔K论M文L网wWw.YouERw.com 加QQ75201^8766

自从1980年发现霍尔效应(在极低温的境况下,强磁场下电子气被局域分立的郎道能级上。在郎道能级之间的费米能级,体内形成完全绝缘的状态,并且在体系边缘形成无背散射通道。)以后,人逐渐意识到郎道理论对称破缺理论并不能对所有的物质进行分类,为了对一类新发现的物质进行分类,科学家们引进了拓扑不变量和拓扑序的概念来进行分类补充。随着人们加强了对在种类型物质的研究,一些具有时间反演对称性的拓扑绝缘体在最近几年由理论预言提出并且由实验证实了,在2005年mile和Kane通过讨论用陈数来表示所有材料时,得到一个矛盾,只要具有时间反演对称物质,它的陈数必须是整数,反之如果陈数不为整数,它就破坏时间反演对称,为了解决这个矛盾,他们就提出了用Z2的函数形式来表示时间反演不变系统拓扑性,利用拓扑序数的形式来表征其能带,通过这中方式发现了这些拓扑不变量是离散的整数或者分数,它们不能连续改变。目前拓扑绝缘体可分为,二维、三维拓扑绝缘体。在2006年三维拓扑绝缘体TI的概念被提出,Moore和Balents首次用TI一词,FuLiang等人建立了体拓扑序和唯一导电的电表面联系。不久后bi1-xsbx合金被预言是3DTI,并且于2008年被Hasan研究组证实,2009年方忠等人预言了基于Bi和SB化合物的第二代TI(Bi2Te3,Bi2Se3和Sb2Te3)这类材料的化学配比固定,表面只有一个狄拉克锥,在低温和室温下性质都很稳定,且容易制备,在其拓扑性质很快被STM探测手段证实后,许多凝聚态物理,材料科学,化学合成,量子计算的研究者都对其有很强烈的新趣。 单晶材料的生长与物性研究:http://www.youerw.com/cailiao/lunwen_172418.html

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