毕业论文

打赏
当前位置: 毕业论文 > 自动化 >

AT89C52单片机土壤湿度计设计+电路图(6)

时间:2016-12-13 22:30来源:毕业论文
方式驱动8 个TTL逻辑门电路,对端口P0 写1时,可作为高阻抗输入端用。 在访问外部数据存储器或程序存储器时,这组口线分时转换地址(低8 位)和数据总


方式驱动8 个TTL逻辑门电路,对端口P0 写“1”时,可作为高阻抗输入端用。 在访问外部数据存储器或程序存储器时,这组口线分时转换地址(低8 位)和数据总线复用,在访问期间激活内部上拉电阻。
在Flash 编程时,P0 口接收指令字节,而在程序校验时,输出指令字节,校验时,要求外接上拉电阻。
P1 口
P1 是一个带内部上拉电阻的8 位双向I/O 口, P1 的输出缓冲级可驱动(吸收或输出电流)4 个TTL 逻辑
  门电路。对端口写“1”,通过内部的上拉电阻把端口拉到高电平,此时可作输入口。作输入口使用时,因为内部存在上拉
  电阻,某个引脚被外部信号拉低时会输出一个电流(IIL)。
  与AT89C51 不同之处是,P1.0 和P1.1 还可分别作为定时/计数器2 的外部计数输入(P1.0/T2)和输入(P1.1/T2EX),   参见表1。
  Flash 编程和程序校验期间,P1 接收低8 位地址。   表.P1.0和P1.1的第二功能
引脚号 功能特性
P1.0 T2,时钟输出
P1.1 T2EX(定时/计数器2)
 P2 口
P2 是一个带有内部上拉电阻的8 位双向I/O 口,P2 的输出缓冲级可驱动(吸收或输出电流)4 个TTL 逻辑
 门电路。对端口P2 写“1”,通过内部的上拉电阻把端口拉到高电平,此时可作输入口,作输入口使用时,因为内部存在上拉电阻,某个引脚被外部信号拉低时会输出一个电流(IIL)。
在访问外部程序存储器或16 位地址的外部数据存储器(例如执行MOVX @DPTR 指令)时,P2 口送出高8 位地址数据。在访问8 位地址的外部数据存储器(如执行MOVX @RI 指令)时,P2 口输出P2 锁存器的内容。   Flash 编程或校验时,P2亦接收高位地址和一些控制信号。
P3 口
P3 口是一组带有内部上拉电阻的8 位双向I/O 口。P3 口输出缓冲级可驱动(吸收或输出电流)4 个TTL 逻
  辑门电路。对P3 口写入“1”时,它们被内部上拉电阻拉高并可作为输入端口。此时,被外部拉低的P3 口将用上拉电阻输出电流(IIL)。
  P3 口除了作为一般的I/O 口线外,更重要的用途是它的第二功能   P3 口还接收一些用于Flash 闪速存储器编程和程序校验的控制信号。
3.1.3 特殊功能引脚介绍
RST
复位输入。当振荡器工作时,RST引脚出现两个机器周期以上高电平将使单片机复位。
ALE/PROG
当访问外部程序存储器或数据存储器时,ALE(地址锁存允许)输出脉冲用于锁存地址的低8 位字节。一般情况下,ALE 仍以时钟振荡频率的1/6 输出固定的脉冲信号,因此它可对外输出时钟或用于定时目的。要注意的是:每当访问外部数据存储器时将跳过一个ALE 脉冲。对Flash 存储器编程期间,该引脚还用于输入编程脉冲(PROG)。如有必要,可通过对特殊功能寄存器(SFR)区中的8EH 单元的D0 位置位,可禁止ALE 操作。该位置位后,只有一条MOVX 和MOVC指令才能将ALE 激活。此外,该引脚会被微弱拉高,单片机执行外部程序时,应设置ALE 禁止位无效。
PSEN
程序储存允许(PSEN)输出是外部程序存储器的读选通信号,当AT89C52 由外部程序存储器取指令(或数据)时,每个机器周期两次PSEN 有效,即输出两个脉冲。在此期间,当访问外部数据存储器,将跳过两次PSEN信号。
EA/VPP
外部访问允许。欲使CPU 仅访问外部程序存储器(地址为0000H—FFFFH),EA 端必须保持低电平(接地)。需注意的是:如果加密位LB1 被编程,复位时内部会锁存EA端状态。如EA端为高电平(接Vcc端),CPU 则执行内部程序存储器中的指令。Flash 存储器编程时,该引脚加上+12V 的编程允许电源Vpp,当然这必须是该器件是使用12V 编程电压Vpp。 AT89C52单片机土壤湿度计设计+电路图(6):http://www.youerw.com/zidonghua/lunwen_949.html
------分隔线----------------------------
推荐内容