毕业论文

打赏
当前位置: 毕业论文 > 文献综述 >

NiO纳米片文献综述和参考文献

时间:2020-05-16 14:53来源:毕业论文
NiO,一种为人熟知的高热稳定性的p型介孔半导体材料,具有独特的磁性,光学和电学特性,广泛应用于各种领域[1]。比如作为其它传感器,电化学传感器,电池阴极,吸附剂和染料敏化

 NiO,一种为人熟知的高热稳定性的p型介孔半导体材料,具有独特的磁性,光学和电学特性,广泛应用于各种领域[1]。比如作为其它传感器,电化学传感器,电池阴极,吸附剂和染料敏化光电阴极。纳米NiO薄膜或厚膜已用于检测一些炸药和有毒气体,比如甲醛,一氧化碳,氢气,氨气和一氧化氮[2]。最近,研究者致力于控制其形态,形状,如NiO纳米粒子,纳米棒和纳米线[3]。然而,介孔纳米片的研究由于缺乏相关知识而难以合成。胡等人合成了NiO六角形孔状的纳米片。在有关于ZnO和SnO2纳米片的合成中,高压,高温,和一些表面活性剂或结构导向剂是必需的,从而导致了原材料成本过高,加工难度大[4]。另外,使用表面活性剂或结构导向剂通常会导致形成薄片或花状微球[5]。纳米片的聚集会导致比表面积和活化区域的数量低下,这些限制了这种材料的应用。这种简单的介孔金属氧化物纳米晶体的合成方法的发展不仅降低了成本,也扩大了其潜在的应用[6]。48996

利用四氯化镍作为前驱体,可以采用一种简单的水热法来制备晶态介孔NiO纳米片,不使用任何表面活性剂或结构导向剂。合成涉及到水热的成长型镍纳米片和转换的成长型薄片结晶六边形多孔NiO纳米片。这种合成方法,能有效加大产率(约93.1%),制备高结晶多孔的NiO纳米片。另外,基于介孔NiO纳米片构建的气体传感器是一种简单的可衍生的方法。其中,对NiO纳米片的沉积和分布要求比较高。此外,纳米片薄膜的制备(20 nm厚)和介孔结构导致气体传感器的性能在整个总体积中接触面积大。因此,我们的气体传感器对NO2浓度和挥发性有机物浓度(比如丙酮,犇,乙醇)的感应降低至1 ppm。

    而氧化亚铜则是由于纳米墙的应用领域通过其大的比表面积所形成的巨大的发射显示和能量储存区,在科学界有着巨大的作用。该设备的改造正在进行中,以实现更灵活的控制碳的增长,通过控制局部电场。这种类型的纳米结构可以应用在电池,发光和转换装置论文网,和一些要求高表面积材料的催化剂及其它领域。

     氧化亚铜和相关材料的主体大多与电流相关。据报道,光子可以通过相干传播通过单晶氧化亚铜。特别是光子和光子的转换:光子可以转换到另一个光子。令人兴奋的发展是通过Cu2O相关材料和结构表明,这是第一个透明氧化物,是一个具有明显的p型导电体的材料。

参考文献

[1] S. Lany, J. Osorio-Guillén, A. Zunger, Phys. Rev. B, 2007, 75, 241203

[2] C. Y. Lee, C. M. Chiang, Y. H. Wang, R. H. Ma, Sens. Actuators B, 2007, 122, 503-510

[3] N. M. Carneiro, W. C. Nunes, R. P. Borges, M. Godinho, L. E. Fernandez-Outon, W. A. A. Macedo, I. O. Mazali, J. Phys. Chem. C, 2010, 114, 18773 

[4] J. Hu, K. Zhu, L. Chen, H. Yang, Z. Li, A. Suchopar, R. Richards, Adv. Mater. 2008, 20, 267

[5] L. Liu, Y. Li, S. Yuan, M. Ge, M. Ren, C. Sun, Z. Zhou, J. Phys. Chem. C, 2010, 114, 251.

[6] X. Song, L. Gao, J. Phys. Chem. C, 2008, 112, 15299

[7] 杜作娟,古映莹。精细化工中间体,2002,5,24-25

[8] M. Thimchitrambalam,V. R. PamⅡV Gopinathan, Mater. Lett., 2004, 58, 3063-3607

[9] T. A. Kufiakose,S. N. Kalkura,M. palanichamy, J. Crysl. Growth,2004,263, 517-523

[10] W. Wang, B. Poudel, D. Wang, et al., Adv. Mater., 2005, 17, 2110-2114

[11] W. M  Liu,Y. X. Chen, G. T. Kou,el al., Wear, 2003, 254, 994-1000

[12] Q. Yang, J. Sha,X. Y. Ma, Mater. Lett., 2005, 59, 1967-197l

[13] J. X. L. Hong,G. Y. Zhang, Y. Y. Zhu,el al., Mater. Res. Bull., 2003, 38, 1695-1730 NiO纳米片文献综述和参考文献:http://www.youerw.com/wenxian/lunwen_51777.html

------分隔线----------------------------
推荐内容