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拓扑绝缘体Bi2Te3纳米薄膜的制备及其热电性能研究(2)

时间:2018-11-21 17:15来源:毕业论文
热电材料(Thermoelectric Materials)能够实现电能与热能之间直接相互转化的材料,利用它们加以收集、转化废热,进而实现高效快捷的利用。同时,利用珀尔


热电材料(Thermoelectric Materials)——能够实现电能与热能之间直接相互转化的材料,利用它们加以收集、转化废热,进而实现高效快捷的利用。同时,利用珀尔帖(Peltier)效应,也可以高效、方便的对大功率半导体激光器、集成电路以及红外探测和极低温的超导等方面器件进行制冷[1](如图1.1所示)。
 热电材料
图1.1  热电材料及其应用
1.1.2  热电优值  
热电材料的热电转化效率表征——热电优值ZT,公式为ZT = S2σT/κ。其中,S是塞贝克系数,σ是电导率,T是绝对温度,κ是热导率。一般来说,ZT系数越低,材料的热-电转换能力也就越差。研究表明,如果一种材料的热电优值大于3,那么它就存在着很大的应用价值。
遗憾的是,虽然热电材料诞生已将近两百年了,但是目前商用热电材料,例如碲化铅、碲化铋、硅锗合金等,它们的热电优值都是在1左右[2]。其中最主要的原因是决定ZT值的各个参数之间是相互制约的,不能单一地改变其中一个量而不影响其余参量。
1.1.3  热电材料的研究限制和前景
近年来,通过制备纳米薄膜、纳米线、超晶格结构甚至量子点等纳米热电材料(材料的尺度下降到几十纳米量级),热传导的声子将会被边界或缺陷散射,而电子输运不会受到太大的影响;这样,对于以声子为主要热能载流子的绝缘体,纳米结构的热导率将会大大地降低,如果此时再保持电导率不明显下降,就能大幅度地提高ZT值。
但是,即便如此,到目前为止的文献报道中,室温下ZT系数的最高值也只能达到2.4,尚未达到商业大规模的应用(ZT > 3)。此外,一般来说,在绝大多数的纳米结构中,声子散射对ZT值的提高起关键作用,包括量子点[3]、超晶格[4]、材料边界[5]对声子的非相干散射和周期性纳米声子晶体对声子的相干散射;而电子的量子限制效应对热电性能的改善不是很大,这限制了热电效率的进一步提升[6]。
如何有效地研究并加以利用低文体系电子的量子效应,已经成为热电研究领域下一步寻求的突破口和至关点。
1.2  拓扑绝缘体
1.2.1  拓扑绝缘体的定义与特征
      我们知道,近几年在凝聚态物理领域一种新兴材料——拓扑绝缘体(Topological Insulator)(如图1.2所示)受到广泛关注,它不同于传统意义上的绝缘体和金属:其体材料是有能隙的绝缘体或半导体,而其表面是无能隙的金属态[7]。这种奇异的特性主要源于电子内禀的强“自旋-轨道”相互作用,形成了线性且自旋与动量满足特定手性关系的电子色散关系 拓扑绝缘体Bi2Te3纳米薄膜的制备及其热电性能研究(2):http://www.youerw.com/cailiao/lunwen_26113.html
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