尽管人们逐渐的都知道 SiC存在的优越性，但是要生产实用的SiC半导体器件和电路的大规模，对目前来说是一件很现实的问题。所以为了要满足使用电路的商业和半导体器件要求，一直投巨资做了很多的努力，终于取得了突破性的进展。 这些使SiC具备的优良的特点和诱人的应用前景及巨大的市场潜力，将导致激烈的竞争。我们可以预计，这是那些科学家们优先占领高技术领域的制高点，随即又能带来巨大的商业利润的战场。尽管到目前为止 SiC 研究领域取得了可观的成绩，并展示出较美好的应用前景，但是在 SiC 的潜力充分得到发展之前仍然有一些需要我们去克服的重大技术难点。在那些难点中目前最重要的是继续改善晶体的生长技术，降低成本，提高材料的质量，降低缺陷密度及获得厚度可控的大面积晶片[5]。
1.1  SiC晶体的结构与性能
SiC材料是以Si-C四面体作为其基本结构单元的密堆叠结构，其单向堆叠方式都不同，进而产生不同的晶体类型，到目前为止被发现的大概已有200种。其密堆叠有3个不同的位置组成，把它表示成A,B,C。堆叠顺序的不同，使得SiC键具有优尔方纤锌矿结构或立方闪锌矿。比如堆叠顺序为ABC′ABC…，则得到立方闪锌矿结构，记作3c-SiC 或β-SiC( c=cubic）。纯立方结构的晶体类型到目前为止就存在着这一种。若堆叠顺序为AB′AB…，则得到纯优尔方结构，记为2H-SiC ( H = hexagonal）。有以上两种堆叠方式混合组成其它多型体。两种最常见的类型是4H 和6H。 其堆叠方式分别为ABCB′ABCB… 和ABCACB′ABCACB…（图l )。还发现存在着菱结构的SiC（如15R , 21R），它同样属于优尔方纤锌矿结构．在被目前为止所发现的多型中，能稳定存在的只有3c , 2H , 4H , 6H 和15R。 虽然存在着不同的SiC 多型体，但它在Si-C双层密排面上的晶格排列是完全相同的，它们所表现的化学性质也完全一样。但是在其物理性能上来说，尤其是在其中半导体的特性方面表现出来的特性， SiC的这一特点可以利用来制成SiC 不同多型体间晶格完全匹配的超晶格和异质复合结构，从而获得性能极佳的器件[6]。 透射电镜分析SiC晶体中的Frank层错(2):http://www.youerw.com/cailiao/lunwen_16454.html