高介电微波介质陶瓷的国内外研究现状

为了解决无源器件的低能耗和低辐射等问题，科学家们做了大量关于低损耗微波介质陶瓷体系的研究，并已获得了较大的突破。

Bolton 于上世纪 60 年代率先研究了 BaTiO3-Ln2O3-TiO3 体系材料，随后，Kolar 等人在对 BaO-Ln2O3-TiO2 材料的研究中发现该体系中存在着一种具有高介电常数、低损耗和稳定系数较好的材料[4]。78236

Grandin 等人在 1983 年首次发现 Ti1-xCuxNb2x/3O2(0≤x≤0。9)化合物具有金红石型结构，且该化合物为 N 型半导体，其导电性随 Cu 含量的增加而增大。[10]Reeves-MiLaren 等人发现了 Ti1-3xCuxNb2xO2 中存在四方金红石结构，并且宣布他们发现了该材料的介电常数为 63，且不受温度影响[28]。尽管在这些方面有很多研究，但迄今为止还没有对 CuO-Nb2O5-TiO2 陶瓷的微波介电性能的研究。论文网

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