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高速低噪声比较器国内外研究现状

时间:2022-11-11 21:56来源:毕业论文
目前比较器的发展,凝聚了海内外学者大量的心血,他们创作了很多优秀的设计[1]~[8]。国内方面,高雪莲设计了一种低功耗动态比较器,该比较器采用上华公司的 2P3M-500nm-MIX-COMS 工艺,

目前比较器的发展,凝聚了海内外学者大量的心血,他们创作了很多优秀的设计[1]~[8]。国内方面,高雪莲设计了一种低功耗动态比较器,该比较器采用上华公司的 2P3M-500nm-MIX-COMS 工艺,时钟频率为2MHz,电源电压为 5V,平均功耗为0。8mW。李月梅同样设计了一种低功耗比较器,采用TSMC 180nm DP6M CMOS 工艺,电源电压为1。8V,传输延迟约为0。1ns~0。32ns,失调电压小于 0。1V,功耗约为0。37mW。修丽梅展示了一种高速低功耗比较器,该比较器采用的工艺为IBM 180nm DP6M,电源电压为1。8V,在20MHz 时钟信号下,传输延迟小于25ns,功耗约为 0。85mW。韩宝妮设计了一种超高速比较器,该比较器采用 SMIC 180nm CMOS 工艺,电源电压为1。8V,可工作在 1。25GHz 的时钟频率下,最大失调电压为0。6mV……86075

国外方面,Song Ye、T。 Sundstrom、Sunghyun Park、Bernhard Goll等人分别以第一作者的身份,设计了工作频率分别为6GHz、5。78GHz、3。84GHz和3GHz,功耗分别为240uW、33。2uW、1。85mW和0。584mW的比较器。论文网

从中可以看出,我国在比较器的研究水平方面和国外还是存在很大的差距,无论是在比较器的速度上,还是在功耗上。因此,我国比较器的设计水平还有很大的提升空间,需要我们不断去探索、发现。

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