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钴掺杂的非晶碳膜/GaAs/Ag光敏电阻器件及其制备方法(2)

时间:2021-11-10 21:33来源:毕业论文
1。3 光敏电阻的参数 论文网 光敏电阻的主要参数是:光敏电阻电路图 (1)亮电流、亮电阻。光敏电阻器在一定的外加电压下,在外来光的照射下,流过

1。3 光敏电阻的参数论文网

光敏电阻的主要参数是:光敏电阻电路图

(1)亮电流、亮电阻。光敏电阻器在一定的外加电压下,在外来光的照射下,流过光敏电阻的电流强度称为亮电流,此时外加电压与亮电流之比称为亮电阻,常用“100LX”表示。根据研究已得知,随着温度不断升高,光敏电阻的亮电阻值会有增加的趋势,这与温度升高导致载流子产生更加剧烈的无序运动而使电阻升高的定性解释相符;但是光敏电阻属于半导体材料,它与金属导电材料存在不同,温度升高也可以使原本处在禁带中的电子获得足够能量而激发跃迁,从而使电阻值减小[7]。

(2)暗电流、暗电阻。光敏电阻在一定的外加电压下,当没有光照射的时候,此时光敏电阻流过的电流称为暗电流。外加电压与暗电流之比称为暗电阻,常用“0LX”表示。光敏电阻的暗电阻随着温度的增加而增加[8-10]。

(3)光电流。亮电流与暗电流之差称为光电流

(4)灵敏度。灵敏度是指光敏电阻的亮电阻相对于暗电阻的变化速率。

    光谱响应(光谱灵敏度),是指光敏电阻在不同波长的单色光照射下的灵敏度。若将不同波长下的灵敏度画成曲线,就可以得到光谱响应的曲线。

(5)光照特性。光照特性即光敏电阻输出的电信号随光照度的变化而变化的特性,直观上,就是光敏电阻的亮电流关于光照度的曲线,从光敏电阻的光照特性曲线可以看出,随着的光照强度的增加,光敏电阻的阻值开始迅速下降[11-13]。若继续增大光照强度,则电阻值变化速率变小,然后逐渐趋向平缓。在大多数情况下,该曲线为非线性曲线。

(6)伏安特性曲线。伏安特性曲线用来描述光敏电阻的外加电压与光电流的关系,对于光敏器件来说,其光电流随外加电压的增大而增大。

(7)温度系数。光敏电阻的光电效应易受温度影响,一些光敏电阻可能在低温下的光电灵敏较高,而在高温下的灵敏度则较低。

(8)额定功率。额定功率是指光敏电阻用于某种线路中所允许消耗的功率,受温度的影响,当温度升高时,其消耗的功率就降低。

1。4 光敏电阻的种类

    一、按半导体材料分:掺杂型光敏电阻和本征型半导体。前者性能稳定,特性较好,故广泛采用[14]。

    二、从光敏电阻的光谱特性来分:

    1、红外光敏电阻:主要有硫化铅、碲化铅、硒化铅和锑化铅等光敏电阻器,广泛用于、天文探测、不触测量、导弹制导、、人体病变探测、红外光谱、红外通信等国防、科学研究和工农业生产。

    2、可见光光敏电阻:主要有硒、硫化镉、硒化镉、碲化镉、砷化镓、硅、锗、硫化锌等光敏电阻。主要用于各种光电控制系统,例如光电自动开关门,航标灯,路灯和其他照明系统的自动亮灭,零件的检测等。

    3、紫外光敏电阻:主要有硫化镉,硒化镉等光敏电阻,由于这些光敏电阻在紫外波段,灵敏度较高,所以常用于探测紫外线。

第二章 光敏电阻的制备

该光敏电阻为一种钴掺杂的非晶碳膜/GaAs/Ag光敏电阻器件。其为一种清洁无污染、工艺简洁、价格低廉的可见光光敏电阻,可以替代现有以硫化镉和硒化镉为材料制作的可见光光敏电阻。

2。1制备技术

    制备该光敏电阻主要利用了脉冲激光沉积和真空热蒸发的方法。 钴掺杂的非晶碳膜/GaAs/Ag光敏电阻器件及其制备方法(2):http://www.youerw.com/wuli/lunwen_84690.html

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