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应力条件下石墨烯/硼氮原子层的性质

时间:2022-11-11 22:53来源:毕业论文
考虑到双层结构反演对称性的破坏,计算在应力条件下石墨烯/硼氮原子层材料的电子结构。除此之外,我们还将对这种材料的电子极化进行计算和分析
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毕业设计说明书中文摘要中文摘要:随着科学技术的发展,人类对于新材料的要求也越来越高。得益于计算机模拟技术的快速发展,理论预言已经成为实验研究的先驱。在本论文中,我们从第一性原理出发,对石墨烯/硼氮原子层材料进行了详细研究。通过优化石墨烯/硼氮原子层在不同堆栈条件下的结构,找到石墨烯/硼氮原子层可能的稳定结构;通过总能计算和能带结构分析,找到影响石墨烯/硼氮原子层稳定性的因素,并分析其具有的基本电子结构特征。在此基础上,考虑到双层结构反演对称性的破坏,计算在应力条件下石墨烯/硼氮原子层材料的电子结构。除此之外,我们还将对这种材料的电子极化进行计算和分析,发现在应力情况下,其呈现出外力调控下的电荷极化性质,展示了一个新的可控可发展的自由度。86085

毕业论文关键词   石墨烯/硼氮原子层  应力条件  能带  电子极化

毕业设计说明书外文摘要

Title   the properties of graphene-BN (G/BN) bilayer under the pressure 

Abstract With the development of the science and technology, people demand a lot for new

Materials。especially with the development of the computer technology,The theory have become the beginning of study。 Our study is based on theory。 On this article, we study graphene-BN (G/BN) bilayer from the first principles method。 We calculate the stability of graphene-BN (G/BN) bilayer with different structure mainly,and find the most stable structure。Then we study the electron density。 Based on it, we study the electronic structure of graphene-BN(G/BN) under the pressure based on The destruction of the double-layer structure inversion symmetry。 Besides, we calculate the band and the electron density。We find the material have the properties of electron density if under pressure。 It have a new Degrees of freedom and it’s under control。

Keywords  graphene-BN (G/BN) bilayer  pressure  band   electron density

目   次

1 引言(或绪论)… 3

2  背景介绍  4

2。1  半导体材料  4

2。2  表面工程   4

2。3 石墨烯   5

2。4 其他类似结构的层状材料   5

2。5 本章小结   6

3  理论介绍  7

3。1 引言   7

3。2 薛定谔方程   7

3。3 第一性原理   7

3。4  能带理论   8

3。5  布洛赫定理   8

3。6  半导体能带理论  … 9

3。7  赝势   9

3。8  本章小结   10

软件包介绍  … 11

5  石墨烯和硼氮原子层材料   12

5。1  单层石墨烯的缺陷   12

5。2  石墨烯和硼氮原子层的层状结构   12

5。3  优化结构及分析结构  … 13

5。4 应力条件对能量和能带的影响  … 14

5。5 应力条件对能隙的影响  … 15

5。6 电子密度   16

5。7 讨论   19

结论  20

致谢  21

参考文献22

1  引言(或绪论)

近些年随着物理学的发展,人类的生活发生了翻天覆地的变化。尤其是在电子领域,人们日常所用的手机、电脑、移动硬盘等等无不得益于硅基的半导体工艺的快速发展。其实半导体技术的发展也是有一定规律可循的,早在1965年,当时一家半导体公司的工程师摩尔,撰写了一篇文章,在文章中他提出集成电路芯片的性能每翻一番需要的时间大约是在18个月到24个月。在过去的几十年里,“摩尔定律”一直主导着半导体乃至微电子领域的发展。然而,随着现代科学技术的快速发展,传统的硅基半导体工业即将导致摩尔定律的失效。众所周知,当现在常用的半导体材料不断微型化会,面临着量子限制效应以及边界效应,这将导致半导体材料的本身物性的变化。当然,新的纳米尺度的材料制备本身也面临着巨大的障碍。此外,当这些器件集成化以后,其热学问题也不容忽视。因此,传统硅基的半导体产业面临着难以克服的困难。论文网 应力条件下石墨烯/硼氮原子层的性质:http://www.youerw.com/wuli/lunwen_101996.html

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