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高量子效率KSb-CS阴极制备技术研究(4)

时间:2021-11-13 20:27来源:毕业论文
图 2。3 阴极能带弯曲示意图 2。3 透射式光电阴极的量子效率 设阴极膜厚为 dk,,入射光光子能量为 hv,光强为 I0(单位:光子数/秒),照射到光学反 射率

图 2。3 阴极能带弯曲示意图

2。3 透射式光电阴极的量子效率

设阴极膜厚为 dk,,入射光光子能量为 hv,光强为 I0(单位:光子数/秒),照射到光学反 射率为 R 的阴极表面上,则距离入射面 x 处的光强为[13]:

式中,αt 为吸收系数。

则在 x~x+dx 的范围内,单位时间内产生的可以逸出到真空中的光电子数为

dgxp I xdx来*自~优|尔^论:文+网www.youerw.com +QQ752018766*

式中,αp 表示电子跃迁到高于真空能级时的吸收系数。

(2。2)

透射式光电阴极工作时,入射光从玻璃衬底一侧入射,光电子从阴极-真空界面一侧逸出, 如图 2。3 所示。

图 2。3 光电阴极电子逸出示意图

对于膜厚为 dk 的光电阴极,在距离光入射面 x 处,受激电子运动到阴极-真空界面的几率 为: expdk xlE ,其中 l(E)是逸出深度,表示处在这个深度的受激电子运动到达表面 的几率为 1/e。设阴极-真空界面光电子的表面逸出几率为 P0(E),则受激电子逸入真空的几率 为:

式 2。2 乘以式 2。3 即单位时间单位间距内逸出的光电子总数

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