1.2 霍尔效应实验研究
(1)实验仪器
a. TH-H型霍尔效应实验仪，主要由规格大于2500GS/A电磁铁、N型半导体硅单晶切薄片试样、样品架、 和 换向开关、 和 （即 ）测量选择开关组成。
b. TH-H型霍尔效应测试仪，主要由样品工作电流、励磁电流和直流数字毫伏表组成。
(2)实验要求
本实验所采用的霍尔元件是由N型半导体材料制成，使用的励磁电流为700mA，对应的磁场强度为273mT,d为0.5mm。
(3)实验方法
a.测磁场的最大位置[6]
保持励磁电流为700mA，调节工作电流，使其为10mA，将霍尔元件调节至Y为15mm处，沿X方向从零开始每隔2.5mm测一次霍尔电压的值，得到一组数据。再将霍尔元件调至X的最大位置处，沿Y方向从零开始没隔2.5mm测一次霍尔电压的值，得到另外一组数据。从这两组数据我们可以确定磁场的最大位置。
b.测霍尔元件的霍尔系数
保持励磁电流为700mA，调节工作电流，使其从2mA依此增加0.25mA至8mA，分别记录每一次的霍尔电压，得到一组数据。
2. 实验过程中的系统误差及解决方法
2.1 不等位电势
如图3所示，由于元件测量电压的A、A′两电极不可能绝对对称地焊接在霍尔片的两侧，即A、A′的位置不在一个理想的等 势面上，因此，就算不加磁场，只有电流通过，根据 就会有电压。其中r为A、A′所在的两个等势面之间的电阻，且 的正负只取决于电流 的方向，而与磁感应强度B无关[7]。
2.2 爱廷毫森效应
如图4所示，由于实际上载流子的迁移速率 服从统计分布规律，构成电流的载流子速率不同。若速度为v的载流子所受的洛仑磁力与霍尔电场的作用 力刚好抵消，则速度小与v的载流子受到的洛仑磁力小于霍尔电场的作用力，将向霍尔电场作用方向偏转；速度大于v的载流子受到的洛仑磁力大于霍尔电场的作用力，将向洛仑磁力方向偏转。这样使得一侧高速载流子较多，相当于温度较高，另一侧低速载流子较多，相当于温度较低，从而在Y方向引起温差 ，由此产生的热电效应在A、A′电极上引入附加电势差 ，这种现象称为爱廷好森效应[7]，由于 正比与 B，其正负既与 有关又与B有关。
图3 V0的产生机制 图4 VE的产生机制
2.3 能斯脱效应
如图5所示，因器件两端电流引线的接触电阻不等，通电后在接点处将产生不同的焦耳热，导致在X方向有温度梯度，引发载流子沿梯度方向扩散而产生扩散电流Q,在Z方向磁场的作用下，产生类似于霍尔效应在Y方向产生一附加电压 [7]， 正比与QB，其正负只与B的方向有关，而与 的方向无关。
2.4 里纪-勒杜克效应
如图6所示，2.3中所述的沿X方向Z方向磁场B的作用下，和2.2中所述的同一个道理将在Y方向产生温度梯度 ，由此引入附加电压 [7]，正比与QB，其正负只与B的方向有关。
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