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国内外MMIC研究现状和发展趋势(2)

时间:2021-03-16 20:09来源:毕业论文
2005 年,Kenjiro Ni Shikawa 使用 InP HEMT 工艺设计了一个输出频率为54GHz~70GHz 的而倍频器,变频增益为 0dB,基波抑制大于 22dB。 2009 年,Yu-Ann Lai 等人采用 0.15

2005 年,Kenjiro Ni Shikawa 使用 InP HEMT 工艺设计了一个输出频率为54GHz~70GHz 的而倍频器,变频增益为 0dB,基波抑制大于 22dB。

2009 年,Yu-Ann Lai 等人采用 0.15um PHEMT 技术设计实现的平衡二倍频器,输出频率为 23GHz~26GHz,输入功率为 10dBm,变频损耗为-7.4dB~-9.3dB,基本抑制度大于 24dBc,芯片面积为 0.935mm。

高增益、高功率、高线性、高效率、高可靠性,低电压、低功耗和低成本的技术已经成为当今 MMIC 技术的发展趋势。MMIC 工艺已经开始向深亚微米,器件工作频率向毫米波或更高频率方向发展,器件小型化,系统集成化,各种新器件、新的代工厂(Foundry)加工工艺、系统集成、MMIC 电路 CAD 技术等开始向商用转移。

国内外MMIC研究现状和发展趋势(2):http://www.youerw.com/yanjiu/lunwen_71622.html
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