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国内外霍尔传感器的研究现状及应用(2)

时间:2017-03-18 16:01来源:毕业论文
此外,还有许多研制成功的霍尔器件。1999年,毛赣如、姚素英、曲宏伟提出了一种新颖的集成磁敏传感器,电流相对灵敏度可达 V/ ,高于同类磁敏传感器


此外,还有许多研制成功的霍尔器件。1999年,毛赣如、姚素英、曲宏伟提出了一种新颖的集成磁敏传感器,电流相对灵敏度可达 V/ ,高于同类磁敏传感器[ ]。同年,Schott提出一种三文霍尔磁传感器,在每个轴上各放一个霍尔元件就可同时测量磁场在三个轴上的分量,目前该器件已有相应产品,用作三文特斯拉计[ ]。
2001年,Ralf Gottfried-Gottfried提出了一种CMOS霍尔传感器的新成果,研究了在恒流状态和恒压状态下与温度相关的灵敏度,恒压状态下电流相对灵敏度的变化非常小,仅为0.03%/℃[ ]。
2005年,浙江大学刘同、朱大中提出在磁敏线阵列传感器集成电路芯片中采用扇形MAGFET器件,最大跨导为400 。2007年Ch.S.Roumenin等人提出了一种利用CMOS双霍尔器件支撑的线性位移传感器[ ],实验得到的相对灵敏度是61V/ ,在频率 范围内可探测到的最小磁感应强度大约是12 。
从最早的InSb、GaAs和Ge等分立霍尔元件,到多层结构和超晶格结构的高性能霍尔元件,以及基于硅集成电路工艺的霍尔集成电路,在它们出现、成长和日臻完善的几十年里,质量、品种、产量都急速地上升,给工业、信息等产业带了极大的进步 国内外霍尔传感器的研究现状及应用(2):http://www.youerw.com/yanjiu/lunwen_4212.html
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