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低活度水平条件下活度测量比对实验(4)

时间:2021-03-18 20:28来源:毕业论文
最近30年来,高纯锗探测器的各个方面都有了很大的发展,逐渐成为了一种应用非常广泛的新型探测器,高纯锗探测器完全克服了Ge(Li)探测器存在的生产

    最近30年来,高纯锗探测器的各个方面都有了很大的发展,逐渐成为了一种应用非常广泛的新型探测器,高纯锗探测器完全克服了Ge(Li)探测器存在的生产周期过长、对温度要求苛刻(需在低温保)存等缺点。由于高纯锗探测器具有以上各种优点,使得复杂核素的能谱定量测量分析成为现实,使人们对核能谱学的应用又有了新的认识。目前按其材料的性质,即残余杂质是受主还是施主,高纯锗探测器的基体可分为P型锗和N型锗,净杂质浓度均可达到1010/cm3—5×109/cm3。按其晶体的几何形状可分为井型、平面型、同轴型等三种,其中以同轴型的应用最为广泛。在生产时,P型和N型同轴探测器都将整流结做在外表面,使耗尽层向内,GMX系列同轴探测器的使用能量范围是3ekv—10Mek。

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