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半导体激光器在干涉测量系统中的应用(7)

时间:2017-06-09 23:02来源:毕业论文
半导体中的反转分布是由价带的电子激发到导带形成大量的电子空穴对而实现的,也可以光照射或电子束照射来实现[11]。实现有实用价值激光器最有效的


半导体中的反转分布是由价带的电子激发到导带形成大量的电子—空穴对而实现的,也可以光照射或电子束照射来实现[11]。实现有实用价值激光器最有效的方法是在半导体中形成 PN 结,在 PN 结上流过正向电流,在结附近的耗尽层内注入能量很高的少数载流子。在 P 型区,少数载流子电子是由 N 型区注入的,为满足电中性条件,多数载流子空穴也增加,成为激励状态。由电流注入而激励的半导体激光器称为注入型激光器(Injection Laser),也称为激光二极管。从载流子统计考虑,为了获得反转分布,正向偏压必须满足 半导体激光器在干涉测量系统中的应用(7):http://www.youerw.com/tongxin/lunwen_8904.html
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