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介质谐振器振荡器并仿真优化设计(2)

时间:2021-04-06 20:43来源:毕业论文
A. PUSH-PUSH 结构:目前晶体管的工作频率都有一个上限,当前工艺水平的限制,并不能立刻使工作频率大幅升高,一旦所需的频率超过了晶体管的工作频率

A. PUSH-PUSH 结构:目前晶体管的工作频率都有一个上限,当前工艺水平的限制,并不能立刻使工作频率大幅升高,一旦所需的频率超过了晶体管的工作频率时,前几种结构的都不能正常振荡,而 PUSH-PUSH 结构的 DRO 正是为了解决这一情况而产生的一种技术。目前有利用该技术进行研制的实例,该结构可以使振荡频率超出晶体管正常工作频率。该结构的特点在于对称网络抑制偶次谐波分量。论文网

B. 同轴传输线结构:同轴传输线结构 DRO 相对而言比较灵活,可以根据需求灵活选择不同阻抗的同轴线尺寸,近年来有很多科研机构进行了相关的研究,并且越来越受欢迎。

C. 回音廊模式:在高频段时,一般模式的 DR 尺寸会过小,对于加工以及应用带来一定得麻烦,而且过小的尺寸会带来品质因数的降低,从而导致振荡输出的相噪恶化。为了解决这一问题,可以采用回音走廊 WG(Whispering Gallery)模式的 DR。一旦采用该模式时,由于尺寸的增大,可以使上述劣质性能得到改善,尤其是在微波高频波段,其优越性更加明显。

总之,具有优异的相噪指标,好的频率温度稳定性,高输出功率和工作频率宽线性调谐范围的介质谐振器振荡器是 DRO 的发展趋势。

1.3   介质振荡器(DRO)的研究现状和发展趋势

1.4   本课题的研究意义及主要内容

介质谐振器振荡器( DRO) 具有优异的频率稳定度、频谱纯度和噪声性能, 结构简单、可靠性高, 并且工作频率范围最高可达毫米波, 因此在现代雷达、航空、通信等领域被广泛的应用。

本课题的主要内容就是利用给定的元器件设计一个介质谐振器振荡器并仿真优化。设计过程中需要考虑DRO的低相位噪声以及微带电路的2D电磁仿真等。需要达到的参考指标:(1)振荡频率5.8GHz(2)输出功率+5dBm

搜集相关资料,对各种方案加以比较分析,拟定合适的方案,最终确定使用串联反馈型电路设计。

第二章  振荡器的基本原理

2.1  正反馈模型

如图 2.1.1 所示,正反馈模型的基础与核心是有源晶体管,加上必要的反馈网络以后,就可以构成正反馈振荡器。其传输函数为:

正反馈振荡器模型

图2.1 正反馈振荡器模型

                                     (2-1)

开环传递函数为:

                                     (2-2)

振荡器的起振条件: ,对于振荡器,在加电的情况下,即使是零输入,但是输出并不为零,分母为零分子不为零的传输函数是无穷大,振荡环路的开环增益为1,相位为360 度的整数倍。这两个条件也就是满足振荡器的平衡条件。但是实际电路中,振荡器并不是线性电路,电路刚开始工作时,环路的增益往往会大于1,否则,由于环路中噪声的放大作用,会使起初建立起来的平衡被破坏,从而使振荡过程是呈衰减振荡,直至为0。环路增益大于1 后,经过一段时间,环路达到平衡,满足 。实际振荡电路中,所有的元器件都是或多或少的具有非线性,尤其是有源振荡管的非线性更加明显,会产生 1dB 压缩点,因此,振荡器的起振条件应为:文献综述

 ,且  

当 时,即 时,通过正反馈放大,将使振荡幅度不断增长;当 时,即 时,振荡器的振荡将呈现衰减。从而可以知道振幅稳定振荡的条件为 介质谐振器振荡器并仿真优化设计(2):http://www.youerw.com/tongxin/lunwen_72427.html

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