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纳米结构ZnCuO铁磁性能分析

时间:2019-10-21 20:24来源:毕业论文
简单的化学气相沉积方法制作铜掺杂ZnO半球壳结构与室温铁磁性。通过改变生长温度和反应时间的一系列对照实验,我们观察到由全球形结构产品形态的演变成部分断开弹,并在不同温

摘要:我们报告一个简单的化学气相沉积方法制作铜掺杂ZnO半球壳结构与室温铁磁性。通过改变生长温度和反应时间的一系列对照实验,我们观察到由全球形结构产品形态的演变成部分断开弹,并在不同温度下半球壳与反应时间的钢筋半球形壳扩展一起。ZnO生长机理: 已经提出的Cu半球形壳结构涉及的Cu-Zn掺杂球体,表面氧化,并从破壳的内锌升华的合成。氧化锌的结构和光学特性:通过X射线衍射,拉曼光谱和光致发光测量,表明Cu离子被成功代入Zn 2+的位置,并且更固有的结构缺陷。结合光谱分析我们认为,样品的磁性来源于铜含量增强和氧空位的增加。41193
毕业论文关键词:    Cu掺杂;铁磁性;生长机制;发光性能
Study on Ferramagnetic Properties of Cu Doped ZnO
Abstract:We report a simple chemical vapor deposition method for producing a copper-doped ZnO hemispherical shell structure with room temperature ferromagnetism. By changing the growth temperature and the reaction time of a series of control experiments,We observed that the evolution of the global disconnect bomb-shaped structure forms a part of the product,And at different temperatures hemispherical steel shell hemispherical shell extension of reaction time together. Growth mechanism of ZnO: Cu hemispherical shell structure has been proposed is directed to the Cu-Zn-doped sphere, surface oxidation, and synthesized from the broken shell of zinc sublimation. Structural and optical properties of zinc oxide: X-ray diffraction, Raman spectroscopy and photoluminescence measurements show that Cu ions are successfully substituted into the position of Zn 2+ and more inherent structural defects. We believe that the combination of spectral analysis, magnetic copper content of the sample from the enhancement and oxygen vacancies increase.
Keywords: Cu doped; ferromagnetic; the growth mechanism; optical properties
目录
摘要    i
Abstract    i
目录    ii
1    绪论    1
1.1    CU掺杂ZNO纳米结构的概述    1
1.1.1    纳米结构ZnCuO铁磁性能概述    1
1.1.2    纳米结构ZnCuO的性质和应用    1
1.2    纳米结构ZNCUO铁磁性能的研究进展    1
1.3    纳米结构ZNCUO的制备方法    1
1.4    纳米结构ZNCUO铁磁性能的研究意义    1
2    测量纳米结构ZnCuO薄膜的各种性能    4
2.1    纳米结构ZNCUO薄膜结构测试的原理    4
2.2    纳米结构ZNCUO薄膜的制备    4
2.3    纳米结构ZNCUO薄膜铁磁性能的测量    4
3    实验过程数据整合分析    5
3.1    纳米结构ZNCUO结构的分析    5
3.2    纳米结构ZNCUO铁磁性能的分析    5
3.3    纳米结构ZNCUO光学性能的分析    5
4    论文总结与展望    6
致谢    7
参考文献    8
附录    9
 1    绪论
ZnO是一种室温下带隙为3.37eV,优尔角结构的直接带隙半导体,由于它具有高化学稳定性、大光电耦合系数、低介电常数、高激子结合能(高达60meV)及优良的光电、压电特性,因此在光电探测器、发光二极管、太阳能电池及表面声波器件等领域有广泛的应用前景。
1.1    Cu掺杂ZnO纳米结构的概述
1.1.1    纳米结构ZnCuO铁磁性能概述 纳米结构ZnCuO铁磁性能分析:http://www.youerw.com/wuli/lunwen_41174.html
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